[17p-301-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17p-301-4] 酸化レートの変化からみた4H-SiC Si面ウェット酸化雰囲気中に共存する酸素の役割

〇石野田 圭¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：SiC、ウェット酸化、酸化速度

SiC/SiO₂界面の特性を改善するためには酸化メカニズムへの理解が必要であると考えられる。本研究では、酸化機構の中でも界面反応に着目しその特徴を知るために、Si面ウェット酸化の酸化速度についてO₂・H₂Oの比率依存性と温度依存性を系統的に調査し検討した結果、O₂とH₂Oが共存することでO₂及びH₂Oの単独での酸化とは異なる酸化機構が現れることを明らかにした。