[17p-301-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [17p-301-3] Kinetic difference between the changes of interface defect density and oxide trap density during wet oxidation observed in the grown-thickness dependence of 4H-SiC C-face MOS characteristics

〇Hiroyuki Kajifusa¹, Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo)

Keywords:SiC, MOS, wet

4H-SiC C面上MOS界面をウェット酸化によって形成すると、界面欠陥密度D_itは減少するもののMOSFET閾値電圧の安定性が劣化することが知られている。前回の講演会でウェット酸化の際のH₂O分圧によってこれらの特性に大きな違いがみられるを報告したが、その後界面特性の酸化膜成長量依存性を詳細に調査した結果、そこからウェット酸化反応に対する知見が得られたので本講演会で報告する。