[17p-304-1~15] CS.2 6.1強誘電体薄膜,13.3絶縁膜技術,13.5デバイス／集積化技術のコードシェア

[17p-304-12] TCADを用いた強誘電体負性容量FinFETの短チャネル効果の検討

〇太田 裕之¹、池上 努¹、服部 淳一¹、福田 浩一¹、右田 真司¹、鳥海 明² (1.産総研、2.東大工)

キーワード：半導体、強誘電体ゲート絶縁膜、急峻スイッチングトランジスタ

強誘電体をゲート絶縁膜とする負性容量FinFET（NC-FinFET）の短チャネル特性を産総研開発のtechnology computer-aided design (TCAD) により解析した。このTCADシミュレーションでは負性容量の基礎方程式であるLandau-Khalatnikov (L-K)方程式がFinFETのデバイス方程式と自己無撞着に計算できる．このTCADツールを用いることにより，NC-FinFETでは通常のMOSFETとは逆側にDIBLが生じることが分かった。強誘電体をゲート絶縁膜とするNC-FinFETの実現のためにはこれらの新奇な効果を考慮した設計が重要となる。