17:30 〜 17:45 △ [19p-234B-16] 擬似ナノ液膜を介した気相エピタキシー法による SiC 薄膜成長 〇(D)山王堂 尚輝1、大住 亜朱香1、丸山 伸伍1、松本 祐司1 (1.東北大院工)