2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[18a-233-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年9月18日(火) 09:30 〜 12:00 233 (233)

曽根 正人(東工大)

10:30 〜 10:45

[18a-233-5] 過電流検知用TSV構造MEMSロゴスキーコイル

渡部 善幸1、矢作 徹1、阿部 泰1、村山 裕紀1、九里 伸治2、吉田 賢一2、指田 和之2、新井 大輔2、池田 克弥2 (1.山形工技セ、2.新電元)

キーワード:ロゴスキーコイル、MEMS、TSV

パワーデバイスの過電流を検知するTSV構造MEMSロゴスキーコイルを作製した。TSV、めっき形成などのMEMSプロセスにより、チップサイズ10×10×0.3mm3、TSV直径100µm、137ターンのスパイラルコイルを有するロゴスキーコイルを作製し、電流検知可能であることを確認した。