[18p-PA5-1~28] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18p-PA5-19] 硫化アンモニウム処理したPbSコロイダルナノドット薄膜を用いた電界効果トランジスタにおける光照射効果

〇竹市 祐実¹、宇野 和行¹、田中 一郎¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：PbSコロイダルナノドット、硫化アンモニウム処理、電界効果トランジスタ

本研究では、硫化アンモニウム処理によって配位子除去を行ったPbSコロイダルナノドット薄膜を用いて電界効果トランジスタ(FET)を作製した。前回、硫黄濃度の高い溶液を用いることでキャリア移動度が向上することを報告した。今回は、同様にして作製したFETのチャネル部分に光を照射しながら電気測定を行いその効果を調べた。光照射を行うことでドレイン電流は約3倍、キャリア移動度は約1.6倍に増加し、6.9×10^-3 cm²V^-1s^-1となった。