[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-16] SiO2/p-GaN MOSキャパシタのCV特性

〇松山 秀昭¹、上野 勝典¹、高島 信也¹、田中 亮¹、福島 悠太¹、江戸 雅晴¹、中川 清和² (1.富士電機、2.山梨大)

キーワード：半導体、p-GaN、CV特性

MOSFETにとってMOS界面特性が重要であり、SiO2/p-GaN界面をMOSキャパシタのCV特性より評価した。その結果、界面に大きな深い正孔トラップが存在することが示唆された。