[19a-311-1~12] 17.3 層状物質

△ [19a-311-10] 二層ヘテロ構造を有する遷移金属カルコゲナイドへの電界効果キャリア蓄積

〇丸山 実那¹、岡田 晋¹ (1.筑波大数理)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、キャリア蓄積、DFT

本講演では、密度汎関数理論に基づく第一原理計算手法を用いて、FET構造中におかれた２層ヘテロ遷移金属ダイカルコゲナイドへの電界効果によるキャリア蓄積現象の解明を行った。計算の結果、電極に対する積層配置やキャリア種に依存して、キャリアの蓄積分布が変調することを明らかにした。このことは、積層構造を制御することで、注入された電子系の広がりを制御できることを示唆している。