[19p-131-1~15] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19p-131-12] DLTS法を用いたSi基板中の微量炭素測定～ウェット処理時の水素挙動～

〇大戸 貴史¹、江里口 和隆¹、三次 伯知¹、佐俣 秀一¹ (1.SUMCO)

キーワード：DLTS、Si基板、炭素汚染

パワーデバイスではデバイス特性を変動させる炭素の低減・管理が重要である。以前我々はウェット処理により炭素を電気的に活性なCH欠陥に変えてDLTSで測定することにより微量炭素の定量を行う方法を開発した。今回ウェット処理に硝酸/フッ酸エッチングを用いて、組成比の依存性とCH欠陥の深さ分布を評価した。CH欠陥の深さ分布から室温でのSi基板中の水素の拡散係数を求めた．