[19p-131-1~15] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19p-131-5] シリコン結晶中のサーマルドナー形成の格子間シリコン濃度依存性

〇鳥越 和尚¹、小野 敏昭¹ (1.SUMCO)

キーワード：シリコン、サーマルドナー、点欠陥

シリコン結晶中の過剰な格子間シリコンによるTDの形成促進が報告されているが、格子間シリコンの効果について系統的な報告はなく、その濃度とTD形成量の定量的な関係は分かっていない。本研究では、酸素雰囲気のRapid Thermal Annealによって格子間シリコンを内部に導入したシリコンウェーハを用いることで、TD形成量の格子間シリコン濃度依存性を明らかにした。