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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19p-436-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2018年9月19日(水) 13:45 〜 18:45 436 (436)

鵜殿治彦(茨城大)、寺井慶和(九工大)、山口憲司(量研機構)、原康祐(山梨大)

15:30 〜 15:45

[19p-436-7] スパッタリング法によるBa/Si堆積比の異なるBaSi₂膜の作製と評価

〇松野賢司¹、髙部涼太¹、召田雅実²、倉持豪人²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大院、2.東ソー株式会社)

キーワード：太陽電池、薄膜、スパッタ