[20a-233-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20a-233-2] フラッシュランプアニールおよびポストアニールで活性/不活性化したSi中Asの軟X線光電子分光による評価

〇(M2)小川 達博¹、名取 鼓太郎¹、星井 拓也¹、仲武 昌史²、渡辺 義夫²、永山 勉³、樋口 隆弘³、加藤 慎一⁴、谷村 英昭⁴、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東工大、2.あいちSR、3.日新イオン、4.SCREEN)

キーワード：軟Ｘ線光電子分光、As、フラッシュランプアニール

Si中にドープした不純物の高濃度活性化には不純物元素やクラスター構造を観察することが有用である. これまでの研究で光電子ホログラフィー技術によりSi中Asの占有構造の特徴抽出と電気的活性/不活性の対応付けに成功している. 今回, 非熱平衡性の高いフラッシュランプアニール法で活性化処理したAsの状態を, その後のポストアニールで不活性化する現象も含めて, 軟X線光電子分光により観測した.