2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[20a-PB4-1~8] 3.13 半導体光デバイス

2018年9月20日(木) 09:30 〜 11:30 PB (白鳥ホール)

09:30 〜 11:30

[20a-PB4-3] ダブルキャップ法を用いたInAs量子ドット構造のPL特性の比較

〇(M1)矢田 拓夢1、内田 和希1、杉山 滉一1、韓 旭1、相川 政輝1、早坂 夏樹1、松浦 正樹1、下村 和彦1 (1.上智大理工)

キーワード:量子ドット、InAs、ダブルキャップ法

我々はMOVPE法を用いて,n-InP(100)基板上に量子ドット構造を導入したデバイスの作製を行ってきた.量子ドットを積層する際には,量子ドットを成長させてファーストキャップ層を数nm程度成長させ,成長中断を挟み,セカンドキャップ層を成長させる,ダブルキャップ法を取り入れている.今回,ダブルキャップ法を用いて作製した積層構造と用いずに作製した積層構造を作製し,光学特性の評価を行ったので報告する.