[20a-PB4-1~8] 3.13 半導体光デバイス

[20a-PB4-2] 直接貼付InP/Si基板上1.5mm帯GaInAsPハイメサレーザの室温発振特性

〇内田 和希¹、韓 旭¹、Periyanayagam Gandhi Kallarasan¹、杉山 滉一¹、相川 政輝¹、早坂 夏樹¹、矢田 拓夢¹、松浦 正樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：レーザ、直接貼付、InP/Si基板