[20a-PB4-1~8] 3.13 Semiconductor optical devices

[20a-PB4-3] Photoluminescence characteristics of InAs quantum dots structure using double-cap procedure

〇(M1)Hiromu Yada¹, Kazuki Uchida¹, Hirokazu Sugiyama¹, Xu Han¹, Masaki Aikawa¹, Natsuki Hayasaka¹, Masaki Matsuura¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:quantum dot, InAs, double-cap procedure

我々はMOVPE法を用いて，n-InP（100）基板上に量子ドット構造を導入したデバイスの作製を行ってきた．量子ドットを積層する際には，量子ドットを成長させてファーストキャップ層を数nm程度成長させ，成長中断を挟み，セカンドキャップ層を成長させる，ダブルキャップ法を取り入れている．今回，ダブルキャップ法を用いて作製した積層構造と用いずに作製した積層構造を作製し，光学特性の評価を行ったので報告する．