[20p-133-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

[20p-133-6] a-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池の発電特性と界面i層の微細構造の相関

〇齋 均¹、陳 柏瑋^1,2、許 宏榮¹、松井 卓矢¹、布村 正太¹、松原 浩司¹ (1.産総研、2.台湾国立交通大)

キーワード：太陽電池、シリコン、アモルファスシリコン

水素化アモルファスシリコン（a-Si:H）は結晶シリコン（c-Si）表面に対する優れたパッシベーション性を有し、c-Si表面にa-Si:Hのi/pおよびi/n積層膜を形成するa-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池（SHJセル）では、25%を超える高い発電効率が実現されている。しかし、高効率SHJセルを実現するために必要なa-Si:Hの諸特性は必ずしも明らかにされていない。またp層製膜による少数キャリア寿命の低下や、界面での固相エピタキシャル成長と付随する特性低下の可能性も報告されている。最近では、エピタキシャル成長の抑制を意図し、ポーラスな界面層の挿入によってp層製膜後も高い少数キャリア寿命が維持できることを示す報告例もあるが、詳細は明らかではない。本研究では、より詳細な知見を得るため、界面層の微細構造を制御しSHJセルの発電特性との相関を調べた。