[20p-212B-1~14] 11.4 アナログ応用および関連技術

[20p-212B-1] 高品質Nb薄膜を用いたMKIDの共振特性(II)

〇野口 卓^1,2、Dominjon Agnes¹、Kroug Matthias¹、Mima Satoru²、Otani Chiko² (1.NAOJ/NINS、2.RIKEN)

キーワード：超伝導体、マイクロ波共振器、Q値

残留抵抗比RRR = 80、超伝導転移温度9.4Kという特性をもつ高品質Nb薄膜を用いて超伝導共振器を作製し、その共振特性を詳細に調べた。
高品質Nb薄膜共振器の内部Q値と共振周波数の温度依存性は、Mattis-Bardeen理論と近藤効果に加えて、フォノン散乱および準粒子間散乱による準粒子抵抗の準粒子残留抵抗への寄与を考慮shした理論によって、非常によく説明できることがわかった。