[20p-223-1~11] アトミックレイヤープロセスの現状と展望

△ [20p-223-10] Arイオン照射窒化ガリウム表面の塩素吸着挙動

〇長谷川 将希¹、堤 隆嘉¹、谷出 敦^1,2、近藤 博基¹、関根 誠¹、石川 健治¹、堀 勝¹ (1.名大、2.(株)SCREEN ホールディングス)

キーワード：窒化ガリウム、エッチング

Cl原子吸着と低エネルギーイオン照射のステップを繰り返す、窒化ガリウム（GaN）のサイクルプロセス構築には各ステップでの現象の理解が求められる。我々はArイオン照射後のGaN表面へのCl吸着挙動をその場X線光電子分光法で調べた。Clラジカルは反応によりGa金属を揮発脱離させることを確認した。サイクルプロセスによるエッチング深さには、イオン照射によるGa金属リッチ層の形成とその揮発脱離量が大きく影響する。