[20p-438-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [20p-438-5] Cl₂プラズマによるGaN高温エッチングのH₂添加効果

〇(M1)大道 貴裕¹、谷出 敦^1,2、石川 健治¹、堤 隆嘉¹、近藤 博基¹、関根 誠¹、堀 勝¹ (1.名大院工、2.(株)SCREENホールディングス)

キーワード：窒化ガリウム、エッチング、塩素

GaNのプラズマエッチングにはダメージレスプロセスが必要とされる。400℃程度に基板を昇温してのエッチングにより、バンド端発光のフォトルミネッセンス強度の劣化が抑制されたが、純Cl₂プラズマでは、エッチピット生成、表面凹凸形成に改善が必要であった。室温下でH₂添加Cl₂プラズマエッチング時に、Clラジカルの減少が確認された。基板昇温時のH₂添加Cl₂プラズマエッチング時の表面形状への影響を調べたので報告する。