[20p-438-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[20p-438-7] 高アスペクト比ホールエッチングにおけるstriationの発生原因

〇橋本 惇一¹、大村 光広¹、足立 昂拓¹、近藤 祐介¹、石川 勝朗¹、阿部 淳子¹、松下 貴哉¹、林 久貴¹ (1.東芝メモリ)

キーワード：エッチング、高アスペクト比

3D Flash memoryではSiO₂とSi₃N₄を交互に積層した膜に対して高アスペクト比ホールをドライエッチングにより加工する必要がある。しかしながらマスクが平滑であるにもかかわらず、積層膜の中腹部の側壁に筋状の荒れ(striation)が発生してしまい 、デバイス特性を劣化させてしまう課題がある。本研究ではstriationの発生原因を調査したので報告する。