[21a-145-1~9] 13.3 絶縁膜技術

[21a-145-3] 高純度オゾン由来の活性種を用いた室温CVD-SiO₂膜の特性

〇亀田 直人¹、三浦 敏徳¹、森川 良樹¹、花倉 満¹、中村 健²、野中 秀彦² (1.明電舎、2.産総研)

キーワード：オゾン酸化、CVD、SiO2膜

室温成膜技術は、有機ELディスプレイ等フレキシブルエレクトロニクス分野で用いられる耐熱性の低いフレキシブル基板上でのデバイス作製プロセスに必要である。今回、CVD成膜温度の低温化のため、高純度オゾンとエチレン（C₂H₄）ガスの反応による大量のOHラジカル生成技術[をCVDに適用し、室温でのSiO₂成膜を試みた。膜質について報告する。