[21a-331-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [21a-331-8] 四元混晶AlGaInNバリア層を用いたAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価

〇細見 大樹¹、古岡 啓太¹、陳 珩¹、久保 俊晴¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名工大)

キーワード：AlGaInN、AlGaNチャネルHFET