[21p-145-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[21p-145-2] Hf-Post Metallization AnnealingによるGeO₂/Ge界面の特性変化

〇藤原 遥香¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹、山田 浩史¹、並木 美太郎¹ (1.農工大院工)

キーワード：絶縁膜、ゲルマニウム