[21p-146-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21p-146-12] -c/+c polarity inverted AlN structure controlled by sputtering condition

〇Yusuke Hayashi¹, Kenjiro Uesugi², Kanako Uesugi³, Hideto Miyake^1,3 (1.Mie Univ. Grad. School of RIS, 2.OPRI, 3.Mie Univ. Grad School of Eng.)

Keywords:AlN, sputtering, annealing

スパッタ成膜したAlN を1700 °C のface to face アニール処理することにより、結晶配向のtwist 成分が大幅に改善されることが報告されている。本手法をウェハ接合に応用することで、積層方向に+c/-c 極性反転構造を作製する手法も開発された。今回、スパッタ条件の制御のみで-c/+c 極性反転構造を作製したので報告する。