[21p-146-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21p-146-13] Self-bias effect on non-polar AlN thin film growth by reactive sputtering

〇(M2)Kouta Tatejima^1,2, Takahiro Nagata², Keiji Ishibashi^2,3, Kenichirou Takahashi^2,3, Setsu Suzuki^2,3, Atsushi Ogura¹, Toyohiro Chikyow² (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.COMET Inc.)

Keywords:AlN, Non-polar, Sputtering

現在、グリーンギャップ問題などに対し、無極性面GaN及びAlNの成長が求められている。我々は、セルフバイアスで成膜する極性面成長に対し基板-ターゲット間をグラウンドに落としてバイアスを0にすることによって極性面の配向性を弱め、無極性面の配向性を強める事を考案した。本報告では、0バイアスによる配向制御の効果と、c軸配向制御のパラメーターとして用いられるN₂流量比の条件検討を行った。