15:15 〜 15:30
[21p-331-6] DCストレス後のダイヤモンドMOS FET特性のデバイスシミュレーションによる解析
キーワード：ダイヤモンド、MOS FET
DC ストレスにより変化したダイヤモンドMOS FETの電気的特性について，デバイスシミュレーションで検討した．ドレイン側のゲート端付近のダイヤモンド/ゲート絶縁膜界面の固定電荷の減少と移動度低下を仮定することで，実験の電流-電圧特性の傾向を再現することができた．
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
2018年9月21日(金) 13:45 〜 16:00 331 (国際会議室)
久保 俊晴(名工大)
15:15 〜 15:30
キーワード：ダイヤモンド、MOS FET