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[17p-P12-1] 耐圧10 kV超GaN-PSJ FETと8 kV超GaN-PSJ Schottky Barrier Diode
キーワード:窒化ガリウム トランジスタ ダイオード 耐圧
これまで分極超接合(PSJ)方式を用いたGaNトランジスタとDiodeの実証を行い、ダイナミック電流コラプスが発生することなくスイッチング動作できる事を確認した。今回、破壊耐圧が10 kVを超えるGaN-PSJ FETと8kVを超えるPSJ Schottky diodeを作製することに成功した。