[17p-P8-1~24] 13.5 デバイス／集積化技術

[17p-P8-7] Zn拡散ソースInGaAs TFETにおけるW/ZrO₂/Al₂O₃ゲートスタックの効果

〇(D)安 大煥¹、尹 尚希¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：トンネルFET、InGaAs、ZrO2