[18a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18a-C302-10] 自立GaN 基板上n^ードリフト層のパルス陽極酸化によるエッチング

〇堀切 文正¹、成田 好伸¹、吉田 丈洋¹ (1.(株)サイオクス)

キーワード：GaN、陽極酸化、エッチング

GaN は光アシストによる電気化学(PEC)エッチングにより、ウエットエッチングが可能である。しかし、サファイヤ基板上の報告が多く、自立基板上の報告、特にn^-ドリフト層に関するものは少ない。今回、転位密度10⁶ cm^-2 台の自立基板上に成長したn^-層について、パルス陽極酸化によるウエットエッチング行い、エッチングに必要な電荷量やエッチング面の粗さについて調査したので、その結果について報告する。