[18a-C302-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [18a-C302-2] Metal work function dependence of Schottky barrier height fabricated on m-plane GaN.

〇Yuto Ando¹, Kentaro Nagamatsu², Atsushi Tanaka^2,3, Shigeyoshi Usami¹, Ousmane 1 Barry¹, Manato Deki², Maki Kushimoto¹, Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4,5 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS, 3.NIMS, 4.Nagoya Univ. ARC, 5.Nagoya Univ. VBL)

Keywords:GaN, m-plane, SBD

窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスには極性面であるc 面が多く用いられており，非極性面や半極性面等の面も利用できる可能性がある． m面基板上に作製されたショットキーバリアダイオード（SBD）においてはc 面上と比較して障壁高さが低く，これは金属-半導体界面におけるフェルミレベルピニングの面方位依存性を反映しているものと考えられる． 本報告ではm 面GaN 基板上にSBD を作製し，障壁高さの仕事関数依存性を調査した．