[18a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [18a-C302-2] m面GaN基板上SBDにおける障壁高さの金属仕事関数依存性

〇安藤 悠人¹、永松 謙太郎²、田中 敦之^2,3、宇佐美 茂佳¹、バリー ウスマン1¹、出来 真斗²、久志本 真希¹、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.物質・材料研究機構、4.名大ARC、5.名大VBL)

キーワード：窒化ガリウム、m面、ショットキーバリアダイオード

窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスには極性面であるc 面が多く用いられており，非極性面や半極性面等の面も利用できる可能性がある． m面基板上に作製されたショットキーバリアダイオード（SBD）においてはc 面上と比較して障壁高さが低く，これは金属-半導体界面におけるフェルミレベルピニングの面方位依存性を反映しているものと考えられる． 本報告ではm 面GaN 基板上にSBD を作製し，障壁高さの仕事関数依存性を調査した．