[18a-G204-1~8] 13.8 光物性・発光デバイス

[18a-G204-7] ZnO:Eu薄膜からの発光：Si基板とSiO₂基板の特性比較

〇赤沢 方省¹、篠島 弘幸² (1.NTT DIC、2.久留米高専)

キーワード：ZnO:Eu、フォトルミネッセンス、エネルギー移動

ZnO結晶中にドープされたEu³⁺イオンからの発光には、Eu³⁺の占有サイト、ZnOからEu³⁺への励起エネルギー移動、ZnOの欠陥発光とEu³⁺の発光の競合など、様々な現象が関わっている。本研究では、基板として絶縁性のSiO₂を使った場合のPLについて、半導体Si基板との差異を見ることで、励起エネルギーの散逸が発光強度に効いていることを示す。