[18p-C304-1~11] ゲルマニウムの工学－電子・光・熱・スピン　Ⅳ族半導体の新展開－

[18p-C304-4] 超薄膜ゲルマニウムのバンド構造

〇前田 辰郎¹、張 文馨¹、入沢 寿史¹、石井 裕之¹、服部 浩之¹、内田 紀行¹、山内 淳² (1.産総研、2.慶応大)

キーワード：Ge、バンド構造

最近、我々は10nm以下のUTB-GeOI構造で電子移動度が向上する効果を観測したが、光学測定と第一原理計算からUTB-GeOI構造のバンド構造について考察する。