[18p-P14-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-P14-7] 薄層化したAl/Ti膜を用いたp型4H-SiCオーミックコンタクトの形成

〇小山 皓洋¹、石森 均¹、米澤 喜幸¹、奥村 元¹ (1.産総研)

キーワード：炭化ケイ素、オーミック、p型

p型4H-SiCへのオーミックコンタクトとしてTiAl電極が報告されているが、高温熱処理時にAlが揮発し、表面が荒れる問題があった。今回、薄層化したTiAl電極形成条件を検討し、コンタクト抵抗率と表面モフォロジーの両立化を図った。