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△ [19a-C302-3] ガンマ線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される電子トラップ
キーワード:GaN、ガンマ線、深い準位
本研究では、ホモエピタキシャル成長した低転位(~106 cm-2) GaNに対してガンマ線を照射し、電気的特性評価を行うことで、ガンマ線によってGaN中に形成されるトラップの特定、その生成レートの解明を行うとともに、いまだに統一的な見解が得られていないas-grown GaNにおいて観測される点欠陥の起源を突き止める手掛かりを得ることを目的としている。今回は、ガンマ線によってn型GaNに形成される電子トラップをDLTSにより評価したので報告する。