[19p-D103-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [19p-D103-6] 厚膜4H-SiCエピタキシャル成長における反り低減

〇升本 恵子¹、瀬川 悟志^1,2、大野 俊之³、齊藤 新吾¹、児島 一聡¹、加藤 智久¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.旭ダイヤモンド、3.日立)

キーワード：SiC、エピタキシャル成長、反り

高耐圧SiCデバイスの実現には、エピタキシャル膜の厚膜化が必要である。しかし、厚膜化に伴いエピタキシャルウエハの反りが大きくなるため、デバイス製造プロセスにおける自動搬送エラーやウエハ割れなどの課題がある。今回、エピタキシャル成長によって凸方向に反りが増大することに着目し、エピタキシャル成長前のウエハを凹形状に制御することによる反り低減手法を開発した。