[19p-D103-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [19p-D103-7] Study on high boron and nitrogen co-doping in 6H-SiC single layer by closed sublimation growth

〇(B)Daiki Tanaka¹, Hiroaki Kurokawa¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Akasaki Research center , Nagoya Univ.)

Keywords:sublimation growth, crystal growth, boron nitride

蛍光SiCは高演色白色LEDの蛍光体として期待されている。蛍光SiCはDAP発光を呈するため、高効率化には120um程度の厚膜成長及び、ホウ素と窒素の高濃度コドーピングが不可欠となる。本研究では成長速度に優れた近接昇華法を用いて高濃度コドーピングに適したドーピングソースの模索をBNを中心に行った。また、得られたB,N濃度の結果からBNには成長環境をSi-richにする効果があることを明らかにした。