[19p-D103-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [19p-D103-6] Growth and warpage reduction of thick 4H-SiC epitaxial layers

〇Keiko Masumoto¹, Satoshi Segawa^1,2, Toshiyuki Ohno³, Shingo Saito¹, Kazutoshi Kojima¹, Tomohisa Kato¹, Hajime Okumura¹ (1.AIST, 2.Asahi Diamond, 3.Hitachi)

Keywords:Silicon carbide, Epitaxial growth, Warpage

高耐圧SiCデバイスの実現には、エピタキシャル膜の厚膜化が必要である。しかし、厚膜化に伴いエピタキシャルウエハの反りが大きくなるため、デバイス製造プロセスにおける自動搬送エラーやウエハ割れなどの課題がある。今回、エピタキシャル成長によって凸方向に反りが増大することに着目し、エピタキシャル成長前のウエハを凹形状に制御することによる反り低減手法を開発した。