[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-18] β-Ga₂O₃のRF-MBE成長における窒素取り込み

〇中田 義昭¹、上村 崇史¹、倉又 朗人²、山腰 茂伸²、東脇 正高¹ (1.情通機構、2.タムラ製作所)

キーワード：Ga2O3

RFプラズマを用いたMBE (RF-MBE)により成長したb-Ga₂O₃結晶中のN濃度と成長条件との関係について調べた。Nの取り込みが成長時のO/Ga供給比に強く依存することを示唆する結果が得られた。