2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

7 ビーム応用 » 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[20p-B401-1~12] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

2018年3月20日(火) 13:00 〜 16:15 B401 (53-401)

山口 徹(NTT)、谷口 淳(東理大)

13:45 〜 14:00

[20p-B401-4] UV-NILを用いた耐擦過性・防汚性を持つ反射防止構造の作製

〇(M2)衛藤 ひかり1、日和佐 伸2、谷口 淳1 (1.東理大基礎工、2.オーテックス株式会社)

キーワード:反射防止構造、UVナノインプリントリソグラフィ

UV-NILは、反射防止構造(ARS)の作製が可能となり高い生産性が期待される。タッチパネルディスプレイへの搭載を実現させるために触っても壊れにくく指紋等の汚れを弾くような防汚性を含有した構造の作製が極めて重要となる。そこで、UV-NIL後に防汚効果が得られる防汚性樹脂を用いて防汚性反射防止フィルムの作製を試みた。本研究では、防汚性と硬度の高いUV硬化性樹脂を用いた部分充填UV-NILで作製したARSフィルムの作製と評価を行った。