09:15 〜 09:30 [19a-E305-2] (NH4)2S処理理前の前処理がAl2O3/InGaAs MOS界面に与える影響 〇尹 尚希1、加藤 公彦1、横山 千晶1、安 大煥1、竹中 充1、高木 信一1 (1.東京大学)