10:00 〜 10:15 [19a-E301-2] Allイオン注入プロセスを用いた1200V縦型GaNプレーナMOSFET 〇田中 亮1、高島 信也1、上野 勝典1、松山 秀昭1、福島 悠太1、江戸 雅晴1、中川 清和2 (1.富士電機、2.山梨大)