10:00 〜 10:15 [20a-E301-5] Mgイオンを注入したGaNで構成したMOSダイオードの界面準位アドミッタンスの解析 〇(M2)鴨志田 亮1、村井 駿太1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)