09:45 〜 10:00 △ [20a-E312-3] 200 nmの絶縁膜Al2O3を有する2DHGダイヤモンドMOSFETsの高周波出力特性@VDS = −70 V 〇(B)鈴木 優紀子1、久樂 顕1、今西 祥一朗1、堀川 清貴1、平岩 篤1、川原田 洋1,2 (1.早大理工、2.早大材研)