13:00 〜 13:15 [21p-E310-2] 縦型GaNデバイスに向けたレーザ誘起高性能・局所オーミック電極形成法の開発 〇川崎 輝尚1、黒瀬 範子2、荒木 努2、青柳 克信2 (1.住友重機械、2.立命館大)