11:00 〜 11:15 △ [20a-E311-8] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析 〇根本 宏樹1、岡本 大1、張 旭芳1、染谷 満2、岡本 光央2、畠山 哲夫2、原田 信介2、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大学、2.産総研)