11:30 〜 11:45 [20a-E310-10] InGaN/GaN屈折率導波路型フォトニック結晶デバイスに向けたHEATE法による高アスペクトナノホールアレイの作製 〇森谷 祐太1、大江 優輝1、川崎 祐生1、伊藤 大智1、阿部 洸希1、木下 堅太郎1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大、2.上智大フォトニクスリサーチセンター)