09:15 〜 09:30 △ [21a-E310-2] Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶の成長促進に向けたLi添加系での多結晶抑制 〇濱田 和真1、山田 拓海1、村上 航介1、今西 正幸1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)