[18a-E304-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [18a-E304-2] 局所レーザーアニールにより結晶成長制御した低温多結晶Si薄膜トランジスタ特性

〇妹川 要^1,2、濱野 史暢¹、中村 大輔¹、齋藤 香織³、後藤 順³、後藤 哲也⁴、池上 浩^1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同部門、3.ブイ・テクノロジー、4.東北大未来研)

キーワード：低温ポリシリコン、薄膜トランジスタ、結晶成長制御

近年，G10世代以降の大型FPD基板に対応しうるレーザーアニール法として，局所レーザーアニール法(SLA)が注目されている．しかしながら，SLAの固定光学系にて照射した場合，スキャン方式と比較して結晶粒界が不均一となりTFT特性が不安定になると報告されている．​今回, ドットマスク転写によりチャネル内に均一な正方形結晶粒を形成したTFTを製作し, 従来のELAで製作したTFTに比べて飛躍的に安定したTFT特性を得ることが出来たため報告する．