[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-38] 減圧化学気相法を用いたSi (111)基板上への六方晶窒化ホウ素薄膜成長

〇松下 一貴¹、名嘉眞 朝泰¹、渡邊 泰良¹、小南 裕子¹、原 和彦^2,3 (1.静岡大総合研、2.静岡大創科院、3.静岡大電子研)

キーワード：六方晶窒化ホウ素、化学気相法、Si基板